西汉姆联官方赞助商 > 西汉姆联官方赞助商 >

二氧化钒薄膜材料相变临界场强调控方法研究

  采用无机溶胶-凝胶法并结合线陶瓷基片上制备了二氧化钒及其他价态钒氧化物共存的薄膜材料。研究了退火时间对VO_2、V_2O_5、V_6O_(13)、V_6O_(11)等价态成分和含量的影响以及对薄膜的相变临界温度和相变临界电场强度的影响。实验采用的退火时间分别为10h、8h及6h,得到的薄膜的相变临界电场强度分别为1.8 MV/m、0.8 MV/m及0.4 MV/m,相变场强降低75%以上,且随着电场强度相变点的降低,薄膜材料相变点前后电阻变化倍数也降低,但相变临界温度没有明显变化。研究结果表明:通过控制真空退火时间能够实现对电场强度相变点的有效调控,利用该方法可以研制不同相变临界场强的薄膜材料,以适应不同电磁环境的防护应用要求。

  郑秀华,沈俊武,史红周;2Y_2O_3-ZrO_2陶瓷中t→m相变[J];材料研究学报;1998年04期

  何山,韦柳娅,傅群,林晨,雷德铭,郑臣谋;二氧化钒和三氧化二钒研究进展[J];无机化学学报;2003年02期

  郑臣谋,张剑辉,张介立,杨益嘉,曾希果;纳米二氧化钒粉体的合成[J];中山大学学报(自然科学版);1999年06期

  袁宏韬;冯克成;张先徽;;非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究[J];功能材料;2006年02期

  张静,廖继志;Sr同位素核中的形状相变[J];四川大学学报(自然科学版);1999年04期

  徐慢;赵静;王树林;祝云;王桂荣;关岭;;热解氧钒碱式碳酸铵法M型二氧化钒粉体的制备[J];武汉工程大学学报;2014年06期

  金良茂;方强;王友乐;陈凯;;二氧化钒薄膜的制备技术及应用研究[A];2007中国浮法玻璃及玻璃新技术发展研讨会论文集[C];2007年

  李骏驰;CaBaCo_2O_(5+δ)固体氧化物阴极薄膜材料的微观结构的研究[D];湖南大学;2015年

上一篇:没有了 下一篇:临界击穿电场-学术百科-知网空间